近日，四川德源兴能科技股份有限公司自主研发、拥有独立知识产权的《一种基于磁屏蔽结构的零磁场漏磁检测系统》发明专利（申请号：202311245119.0）正式通过国家知识产权局审查，成功获得中国发明专利授权。

该专利提出一种新型磁屏蔽结构，首次在漏磁检测中实现背景磁场在X轴与Z轴方向的双重趋零，显著提升了检测灵敏度与信号质量。

专利核心亮点：攻克“零磁场”漏磁检测技术难题

本发明提出一种基于磁屏蔽结构的零磁场漏磁检测系统，通过U型磁屏蔽罩与矩形开口结构设计，实现对背景磁场在X轴与Z轴方向的双重屏蔽，使传感器工作在近零磁场环境下，提升漏磁信号的清晰度和检测的准确性。

     · 实现背景磁场趋近于零

     · 支持大提离条件下的缺陷检测（在传感器与被测物体距离较远时，仍能准确检测缺陷）

     · 提升对小尺寸缺陷的识别能力

     · 降低系统功耗，实现弱磁化检测（降低系统运行所需的磁化强度，实现更低功耗的检测）

     应用价值：更高灵敏度、更大提离、更低功耗

     经实验验证，该技术在以下场景中均表现出优异的检测能力：

     · 大提离条件下的缺陷有效检测

     · 表面与亚表面缺陷识别

     · 管道内外壁腐蚀检测

     · 多种缺陷类型（裂纹、孔洞、几何突变等）

可广泛应用于油气管道、铁路钢轨、核工业结构件等关键设施的无损检测，为设备安全运行提供可靠技术支撑。

未来展望

漏磁检测是管道安全评估的核心手段之一。本专利的获批，不仅提升了公司在无损检测领域的技术储备，也为国内漏磁检测技术向更高灵敏度、更大提离方向演进提供了新的技术路径。

技术突破，源于持续深耕。德源科技将继续聚焦无损检测核心技术的自主研发，为管道安全运行提供更加可靠的技术支撑。